[VIP第1年] 指数:3
8、霍尔不等位电势（又称霍尔偏移零点）
在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为不等位电势。
9、霍尔输出电压
在外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为霍尔输出电压。
10、霍尔电压输出比率
霍尔不等位电势与霍尔输出电势的比率。
11，中山HX6474霍尔开关、霍尔寄生直流电势
在外加磁场为零、霍尔元件用交流激励时，霍尔电极输出除了交流不等位电势外，还有一直流电势，称寄生直流电势。
12、霍尔不等位电势
在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，环境温度每变化1℃时，不等位电势的相对变化率。
13、霍尔电势温度系数
在外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，环境温度每变化1℃时，不等位电势的相对变化率。它同时也是霍尔系数的温度系数。
14、热阻Rth
霍尔元件工作时功耗每增加1W，中山HX6474霍尔开关，中山HX6474霍尔开关，霍尔元件升高的温度值称为它的热阻，它反映了元件散热的难易程度。 华芯晟霍尔元件是质量的霍尔元件生产厂家，厂家直销，库存充足！中山HX6474霍尔开关
如何去判断霍尔元件的感应距离？
霍尔的感应距离也和磁场的强度有直接的关系，一般霍尔的感应距离是在1CM左右。一般来说，要先选霍尔，选好霍尔之后再去配套磁铁，这样磁铁和霍尔的配套性更强。要是需要感应的距离比较远，那么就需要加大磁场，或选择高灵敏度的霍尔开关。感应距离的远近是需要磁场和霍尔共同搭配来使用的，也或者您的磁场特别强，可能灵敏度稍微低一些的霍尔开关也是可以感应到的，当然还是需要您在实际的电路中去测试的。 中山HX6474霍尔开关霍尔元件厂家,一站搞定,提供高质量产品服务霍尔元件厂家华芯晟精选各类霍尔元件,提供高质量产品服务。
霍尔开关是一种基于霍尔效应的磁传感器，已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到普遍的应用。
霍尔器件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。
霍尔线性器件的精度高、线性度好；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm级）。取用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度范围宽，可达－55℃～150℃。
霍尔开关时使用注意事项（下）
6.由于机械应力会造成霍尔器件磁敏感度的漂移，在使用安装中应尽量减少施加到器件外壳和引线上的机械力，如管脚需要弯曲，请在距引线根部3mm以外操作。；7.将导线平行焊接在霍尔器件的引脚上，焊接时不能掰动霍尔器件引脚。；8.建议焊接温度：电烙铁焊接，建议温度在350℃，**长5秒；波峰焊：建议比较高温度260℃，**长3秒；红外回流焊：建议比较高245℃，**长10秒。；9.焊点不得有毛刺，以避免将热缩管刺破而导致短路烧坏霍尔器件。；10.热缩管必须套在霍尔器件的引脚根部，保证器件充分绝缘，比较好在热缩管及引线的下面再铺一层绝缘纸。 华芯十六年专业做霍尔元件,量大从优!为客户提供质量的产品,专业的技术支持及完善的服务!
霍尔开关的检测方法
如何检测霍尔元件有没有发生损坏呢？取三孔插座一个,1脚为5-15V电源,2脚接地,3脚接输出。把霍尔开关按1,2,3脚插
接在插座上。接通电源，万用表接3,2脚测输出电压。用磁铁一磁极靠近霍尔开关的正面，观察万用表输出电压，换用另一磁极靠近霍尔的正面，观察万用表输出电压。磁极靠近霍尔开关时，若输出电压出现跳变，霍尔开关属于正常。若电压不变，万用表改接1,3脚，重复上述过程，若输出电压仍不变，说明霍尔开关损坏。 华芯是质量的霍尔元件供应厂家,长期供应霍尔元件产品质量好口碑优异。湛江线性霍尔开关厂家
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霍尔开关时使用注意事项（上）
1.霍尔是敏感器件，在使用过程以及存储过程中应注意采取静电防护措施。
2.适宜的电源电压和负载电路及工作温度是霍尔器件正常工作的先决条件，霍尔器件的供电电压，负载电流及工作温度不得超出规格书中多规定的范围。
3.所用工具，特别是焊接用的电烙铁，必须严格接上地线，以保证电烙铁不漏电，即电烙铁的铁皮是接地的，比较好选用低压恒温可调电烙铁进行焊接。
4.所有设备都应严格接地，并用检电笔逐个查明确无漏电，才能开始工作。
5.要求印制板及霍尔器件管脚严格经过清洁处理，使它与焊锡有良好的浸润性。 中山HX6474霍尔开关
无锡华芯晟科技有限公司成立于2003年，是一家专业从事霍尔元件研发、生产、测试、销售为一体的的大型综合型企业。公司主要生产先进的霍尔效应集成传感器产品，与中国科学院电子研究所、苏州纳米研究所等**研究机构及企业建立了战略合作关系，具有较强的新产品、新技术开发能力。
华芯公司注重研发,公司拥有一批专业器件设计、集成电路设计和测试的工程师，并具有前列的开发测试平台。已经开发了RF LDMOS系列、RF VDMOS系列等多项具有自主知识产权、**中国集成电路水平的**产品。并与中国科学院微电子研究所共同研制开发了功率VDMOS、霍尔效应集成传感器等产品。
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